[发明专利]基于GaN材料的RGBY四色LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201711382809.5 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108091735A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于GaN材料的RGBY四色LED及其制备方法。其中，该制备方法包括：选取基础层材料；在所述基础层材料表面生长GaN形成蓝色发光材料；利用刻蚀工艺在所述蓝色发光材料内形成凹槽，并在所述凹槽内生长红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料以形成RGBY发光体；在所述RGBY发光层表面形成键合层；去除所述基础层材料并制备电极。本发明实施例，通过将RGBY四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 基础层材料 四色 蓝色发光材料 红色发光材料 黄色发光材料 绿色发光材料 发光层表面 表面生长 单一芯片 发光材料 发光效率 刻蚀工艺 制备工艺 原色LED 集成度 电极 发光体 键合层 体积小 去除 芯片 生长 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN材料的RGBY四色LED的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取基础层材料；(b)在所述基础层材料表面生长GaN形成蓝色发光材料；(c)利用刻蚀工艺在所述蓝色发光材料内形成凹槽，并在所述凹槽内生长红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料以形成RGBY发光体；(d)在所述RGBY发光层表面形成键合层；(e)去除所述基础层材料并制备电极。
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