[发明专利]基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯在审
| 申请号： | 201711382826.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946425A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯，LED芯片包括第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极。本发明在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 材料 rgbw 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上。
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