[发明专利]蓝光和紫外光LED芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201711382967.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108054249B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蓝光和紫外光LED芯片的制备方法，该制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底上表面制作蓝光外延层；(c)在所述蓝光外延层中制作紫外光灯芯槽；(d)在所述紫外光灯芯槽中制作紫外光外延层；(e)在所述蓝光外延层与所述紫外光外延层上制作电极。本发明提供的蓝光和紫外光LED芯片的制备方法，可以在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；此外，该制备工艺相对简单，可行性高。 | ||
| 搜索关键词： | 光和 紫外光 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蓝光和紫外光LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底上表面制作蓝光外延层；(c)在所述蓝光外延层中制作紫外光灯芯槽；(d)在所述紫外光灯芯槽中制作紫外光外延层；(e)在所述蓝光外延层与所述紫外光外延层上制作电极。
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