[发明专利]一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺有效

专利信息
申请号: 201711383445.2 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108122749B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 林书勋 申请(专利权)人: 成都海威华芯科技有限公司
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/335
代理公司: 51223 成都华风专利事务所(普通合伙) 代理人: 徐丰;张巨箭<国际申请>=<国际公布>=
地址: 610029 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺,包括以下内容:GaN HEMT器件正面工艺制备;GaN HEMT正面器件区保护;图形化载片制备:将背面接地孔图形投影到载片的相应位置,再移除该位置的载片材料以形成散热孔;GaN HEMT晶圆与载片对准黏贴;SiC衬底减薄;背面通孔工艺;背面接地金属工艺;载片和正面保护层移除。本发明在载片上先移除或减薄需要刻蚀SiC背孔区域的载片材料,形成具有背孔图形的载片,再将其与GaN HEMT工艺晶圆进行对准,在刻蚀SiC时能够有效的提高整个晶圆的热传导能力。
搜索关键词: 载片 背面 图形化 移除 载片材料 背孔 晶圆 刻蚀 制备 对准 热传导能力 正面保护层 衬底减薄 接地金属 图形投影 整个晶圆 正面工艺 接地孔 器件区 散热孔 减薄 通孔
【主权项】:
1.一种基于图形化载片的SiC基GaN HEMT背面工艺,其特征在于,包括以下内容:/nGaN HEMT器件正面工艺制备:在SiC基GaN HEMT结构的外延片上,进行GaN HEMT器件正面工艺制备;/nGaN HEMT正面器件区保护:对上述已经完成GaN HEMT器件制备的晶圆进行正面区域进行覆盖保护形成正面保护层;/n图形化载片制备:将背面接地孔图形投影到载片的相应位置,再移除该位置的载片材料以形成散热孔,完成图形化载片制备;/nGaN HEMT晶圆与载片对准黏贴:将上述完成正面保护的GaN HEMT晶圆与图形化载片进行套刻对准并使用黏 贴剂黏贴;/nSiC衬底减薄:对上述完成载片黏贴的GaN HEMT晶圆的SiC衬底进行减薄;/n背面通孔工艺:在上述经过SiC衬底减薄的晶圆上,进行背面通孔工艺,在SiC衬底上刻蚀通孔至正面金属层;/n背面接地金属工艺:在上述完成背面通孔工艺的晶圆背面,淀积低电阻率金属,完成背面接地金属工艺;/n载片和正面保护层移除:在上述完成背面金属工艺的晶圆上,移除载片及载片黏贴剂和正面保护层,完成整套工艺。/n
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