[发明专利]一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺有效
申请号: | 201711383445.2 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108122749B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 林书勋 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/335 |
代理公司: | 51223 成都华风专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 徐丰;张巨箭<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 610029 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于图形化载片的SiC基GaN_HEMT背面工艺,包括以下内容:GaN HEMT器件正面工艺制备;GaN HEMT正面器件区保护;图形化载片制备:将背面接地孔图形投影到载片的相应位置,再移除该位置的载片材料以形成散热孔;GaN HEMT晶圆与载片对准黏贴;SiC衬底减薄;背面通孔工艺;背面接地金属工艺;载片和正面保护层移除。本发明在载片上先移除或减薄需要刻蚀SiC背孔区域的载片材料,形成具有背孔图形的载片,再将其与GaN HEMT工艺晶圆进行对准,在刻蚀SiC时能够有效的提高整个晶圆的热传导能力。 | ||
搜索关键词: | 载片 背面 图形化 移除 载片材料 背孔 晶圆 刻蚀 制备 对准 热传导能力 正面保护层 衬底减薄 接地金属 图形投影 整个晶圆 正面工艺 接地孔 器件区 散热孔 减薄 通孔 | ||
【主权项】:
1.一种基于图形化载片的SiC基GaN HEMT背面工艺,其特征在于,包括以下内容:/nGaN HEMT器件正面工艺制备:在SiC基GaN HEMT结构的外延片上,进行GaN HEMT器件正面工艺制备;/nGaN HEMT正面器件区保护:对上述已经完成GaN HEMT器件制备的晶圆进行正面区域进行覆盖保护形成正面保护层;/n图形化载片制备:将背面接地孔图形投影到载片的相应位置,再移除该位置的载片材料以形成散热孔,完成图形化载片制备;/nGaN HEMT晶圆与载片对准黏贴:将上述完成正面保护的GaN HEMT晶圆与图形化载片进行套刻对准并使用黏 贴剂黏贴;/nSiC衬底减薄:对上述完成载片黏贴的GaN HEMT晶圆的SiC衬底进行减薄;/n背面通孔工艺:在上述经过SiC衬底减薄的晶圆上,进行背面通孔工艺,在SiC衬底上刻蚀通孔至正面金属层;/n背面接地金属工艺:在上述完成背面通孔工艺的晶圆背面,淀积低电阻率金属,完成背面接地金属工艺;/n载片和正面保护层移除:在上述完成背面金属工艺的晶圆上,移除载片及载片黏贴剂和正面保护层,完成整套工艺。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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