[发明专利]基于GaN材料的垂直结构LED芯片及LED灯在审
| 申请号： | 201711383450.3 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108054262A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/50;H01L33/64;H01L33/48 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，包括：蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。本发明的有益效果包括：1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 材料 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN材料的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：蓝光发光组件、红光发光组件、公共正电极组件、蓝光发光组件负电极及红光发光组件负电极，其中，所述公共正电极组件设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，所述蓝光发光组件负电极及所述红光发光组件负电极分别设置于所述蓝光发光组件及所述红光发光组件上，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安智盛锐芯半导体科技有限公司，未经西安智盛锐芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711383450.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种种蛋消毒装置
- 下一篇：一种基于位错减少辐照损伤的方法
