[发明专利]异质结光化学阵列的制备方法及其产品和应用有效
| 申请号： | 201711383553.X | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108165938B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 何丹农;尹桂林;卢静;金彩虹 | 申请（专利权）人： | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C16/30;C23C16/455;C25D11/26;C23C28/04;C25B1/04;C25B11/06;H01G9/20 |
| 代理公司： | 31208 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质结光化学阵列的制备方法及其产品和应用，在FTO玻璃基底利用磁控溅射共溅射制备一层Ti薄膜，利用电化学腐蚀方法获得TiO2纳米管阵列薄膜，在氢气气氛下进行等离子体处理，以及在此基础上利用原子层沉积在纳米管表面制备一层MoS2纳米薄膜。本发明提供的一种异质结光化学阵列的制备方法，通过磁控溅射、电化学腐蚀、等离子处理以及原子层沉积等具有高可重复性的技术的使用，确保了所制备的阵列的重复稳定性。本发明制备方法可控，重复性较好，所得产品具有宽光谱吸收特点，大幅提升了太阳光的利用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光化学 异质结 电化学腐蚀 原子层沉积 磁控溅射 等离子体处理 等离子处理 纳米管表面 可重复性 纳米薄膜 氢气气氛 阵列薄膜 共溅射 宽光谱 太阳光 基底 可控 薄膜 应用 重复 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种异质结光化学阵列的制备方法，其特征在于，在FTO玻璃基底利用磁控溅射共溅射制备一层Ti薄膜，利用电化学腐蚀方法获得TiO2纳米管阵列薄膜，对该薄膜进行等离子体处理，以及在纳米管表面制备一层MoS2纳米薄膜，包含以下步骤：/n（1）在FTO玻璃基底利用磁控溅射共溅射制备一层Ti薄膜；/n（2）利用电化学腐蚀方法获得TiO2纳米管阵列薄膜；/n（3）在氢气气氛下，对上述薄膜进行等离子处理；/n（4）利用原子层沉积在纳米管表面生长一层MoS2纳米薄膜；/n步骤（1）中所述Ti薄膜厚度为500-800nm；/n步骤（3）中所述等离子处理，是指在真空下，通入氢气气氛，对薄膜进行等离子体处理，等离子体功率为20W，处理时间为3-5分钟；/n步骤（4）中所述MoS2纳米薄膜厚度为2-8nm。/n
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