[发明专利]极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法有效
申请号: | 201711383701.8 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN109950323B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L21/329 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括:包括第一、第二半导体的第一异质结,所述第一异质结构中形成有二维电子气;包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结,所述第二异质结中形成有二维空穴气;形成于所述第二半导体上的第四半导体,所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接;所述第四半导体为p型掺杂,可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽;与第一异质结连接的阳极和阴极,所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接,所属阳极同时与第四半导体形成电连接。 | ||
搜索关键词: | 极化 氮化物 二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件,其特征在于包括:第一异质结,其包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体,所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙,且所述第一异质结构中形成有二维电子气;第二异质结,其包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体上的第三半导体,所述第三半导体具有窄于所述第二半导体的带隙,所述第二异质结中形成有二维空穴气;第四半导体,其形成于所述第二半导体上并与第三半导体紧密连接,且能够将第一异质结中的二维电子气耗尽;阳极和阴极,其中所述阳极包括相互电连接的第一阳极和第二阳极,所述第一阳极和阴极与所述第一异质结中的二维电子气电连接,所述第二阳极与第四半导体电连接。
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