[发明专利]一种基于位错减少辐照损伤的方法在审
| 申请号： | 201711383705.6 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108054089A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨萍;董鹏;宋宇;余学功;李沫;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/324 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于位错减少辐照损伤的方法，该方法主要是通过对所述硅材料及器件进行质子、中子和γ射线等高能粒子注入，并进行退火操作，可以实现引入密度与位置可控的位错作为复合中心来减少辐照损伤的目的。本发明实现了在硅材料及器件指定位置引入位错，能够控制位错密度和位错区域；通过辐照高能粒子在硅材料及器件中引入位错形成缺陷，如同复合中心，使载流子的寿命减小，这样在辐照过程中所产生的大量电子‑空穴对会被复合中心所复合，使得空穴陷阱所俘获的空穴数量大大减小；此外，高能粒子对于引入的位错，与现有方式相比，不仅对硅材料及器件的电中性特性不会产生影响，还减少了硅材料及器件的辐照损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 减少 辐照 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于位错减少辐照损伤的方法，其特征在于：对硅材料及器件的表面进行高能粒子注入，对高能粒子注入后的硅材料及器件进行退火操作；注入的高能粒子用于破坏硅晶格，在所述硅材料及器件中产生密度与位置可控的位错，作为复合中心减小辐照产生的电子-空穴对以此来减少辐照损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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