[发明专利]基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201711383711.1 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108110046A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨萍;董鹏;余学功;宋宇;李沫;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/324 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法：该衬底材料包括靠近表面的无氧沉淀洁净区和洁净区下方的氧沉淀区，作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心，从而有效地抑制位移辐照损伤；该方法是对硅衬底材料进行快速热处理和低温、高温退火处理进行制备。本发明中的氧沉淀区作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心，能减小辐照过程中所产生的大量间隙原子、空位等缺陷，从而大幅度降低材料体内缺陷密度，防止间隙原子、空位等的聚集形成原子团簇、空洞等，大大降低了材料的肿胀、硬化、非晶化等辐照损伤。另外，氧沉淀还可有效地吸除硅衬底材料表面的金属杂质，有利于提高集成电路的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧沉淀 辐照损伤 空位 制备 硅衬底材料 辐照 复合中心 间隙原子 硅衬底 间隙硅 洁净区 有效地 直拉 快速热处理 衬底材料 辐照过程 高温退火 金属杂质 体内缺陷 原子团簇 成品率 非晶化 肿胀 减小 无氧 吸除 集成电路 沉淀 硬化 空洞 | ||
【主权项】：
1.基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底材料，其特征在于：一种基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底材料，其特征在于：所述硅衬底材料分为洁净区和氧沉淀区，靠近上表面的为洁净区，洁净区的下方为氧沉淀区；所述洁净区的氧沉淀密度小于1×107 cm-3 ，所述氧沉淀区的氧沉淀密度在1×108 cm-3 -1×1010 cm-3 之间。
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