[发明专利]一种低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开一种低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：选取硅片、激光打孔、制绒、扩散、掩膜、刻蚀、镀膜、背面电极制备、铝背场印刷、正面电极制备和烧结，正面电极制备采用丝网印刷的方法印刷MWT硅太阳能电池正面电极，正面电极分两次印刷，第一次印刷采用常规银浆，通过丝网印刷方式印刷MWT硅太阳能电池部分正面电极栅线；第二次印刷将第一次印刷后的硅衬底顺时针旋转90°后，采用常规银浆，通过丝网印刷方式印刷MWT硅太阳能电池剩余部分正面电极栅线；两次印刷后形成完整的MWT硅太阳能电池正面电极图案，收集并导出载流子。本发明低线宽MWT硅太阳能电池通过正面栅线的两次印刷，解决不同印刷方向高宽比差异的问题，为低线宽的细栅制备提供了空间。

主权项

1.一种低线宽MWT硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)选取硅片：采用太阳能级P型单晶或多晶硅片作为衬底；/n2)激光打孔：在衬底上激光开孔洞(2)，孔洞(2)为M×N的阵列,M和N均为正整数；/n3)制绒：使用常规化学清洗和织构化方法进行制绒；/n4)扩散：使用POCl