[发明专利]提升寄生光灵敏度的方法有效
| 申请号： | 201711384884.5 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108040252B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 石文杰;陈超林;邵泽旭;任冠京;刘芃宇 | 申请（专利权）人： | 思特威(上海)电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N17/00 | 分类号： | H04N17/00;H04N5/378;H04N5/361 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王仙子<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200233上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升寄生光灵敏度的方法，用于提升电压域8T全局快门像素结构的寄生光灵敏度，包括步骤：提供电压域8T全局快门像素结构，包括依次相连的感光二极管、相关双采样读取电路、相关双采样保持电路及相关双采样输出电路，相关双采样保持电路包括第一MOS管开关、第二MOS管开关、第一电容及第二电容；通过调整相关双采样保持电路中的MOS管开关的结构，对第一电容的漏电流Isigleak或第二电容的漏电流Irstleak进行补偿调节，使得Csig*Irstleak＝Crst*Isigleak。本发明通过调整MOS管开关的沟道/有源区的物理形状或尺寸，或通过离子注入手段调整MOS管开关的沟道/有源区的物理电学性质，来补偿调节存储电容的漏电流，能有效消除电容漏电对相关双采样输出电压的影响，提升寄生光灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 寄生 灵敏度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提升寄生光灵敏度的方法，用于提升电压域8T全局快门像素结构的寄生光灵敏度，其特征在于，所述方法包括步骤：/n提供电压域8T全局快门像素结构，所述电压域8T全局快门像素结构包括相关双采样保持电路，所述相关双采样保持电路包括第一MOS管开关、第二MOS管开关、第一电容及第二电容，所述第一MOS管开关与所述第二MOS管开关串联，所述第一电容一端接地、另一端通过第一有源区与所述第一MOS管开关及所述第二MOS管开关相连，所述第二电容一端接地、另一端通过第二有源区与所述第二MOS管开关相连；以及/n调整所述相关双采样保持电路中与所述第一电容相连的MOS管开关的结构对所述第一电容的漏电流进行补偿调节，或调整所述相关双采样保持电路中与所述第二电容相连的MOS管开关的结构对所述第二电容的漏电流进行补偿调节，使得两个电容的漏电流满足公式Csig*Irstleak＝Crst*Isigleak，式中，Csig表示所述第一电容的电容值，Crst表示所述第二电容的电容值，Isigleak表示所述第一电容的漏电流，Irstleak表示所述第二电容的漏电流。/n
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