[发明专利]一种大尺寸芯片曝光方法在审
| 申请号： | 201711385400.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107894693A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 戴鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32295 | 代理人： | 唐静芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸芯片曝光方法，所述方法包括将晶圆的待曝光区域进行虚拟划分，使得所述待曝光区域包括主芯片区、测试单元区和对位标记区，所述主芯片区包括多个子芯片区，所述测试单元区和所述对位标记区分别位于所述主芯片区的外围；使用同一光罩，分别对所述主芯片区、所述测试单元区和所述对位标记区进行曝光，以在所述晶圆上获得预设尺寸的曝光图形；以及对曝光后的所述晶圆进行拼接，得到目标需求的大尺寸主芯片。本发明的大尺寸芯片曝光方法可以满足不同尺寸的芯片需求，对于特殊图案的芯片可以通过插花形式完成曝光，而且不需要对现有机台进行更新换代，具有通用性较好和制造成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 芯片 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸芯片曝光方法，其特征在于，包括：将晶圆的待曝光区域进行虚拟划分，使得所述待曝光区域包括主芯片区、测试单元区和对位标记区，所述主芯片区包括多个子芯片区，所述测试单元区和所述对位标记区分别位于所述主芯片区的外围；使用同一光罩，分别对所述主芯片区、所述测试单元区和所述对位标记区进行曝光，以在所述晶圆上获得预设尺寸的曝光图形；以及对曝光后的所述晶圆进行拼接，得到目标需求的大尺寸主芯片。
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