[发明专利]磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器有效
| 申请号： | 201711385740.1 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108574041B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 德米特罗·埃帕尔科夫;冯艮;王淑霞;维拉迪默·尼基廷;唐学体 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;田野 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了磁性结、设置磁性结的方法和磁性存储器。磁性结包括参考层、非磁性间隔层和杂化自由层。杂化自由层使用穿过磁性结的电流在稳定的磁性状态之间是可切换的。非磁性间隔层位于杂化自由层与参考层之间。杂化自由层包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层。软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数。硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 设置 方法 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种可用在磁性装置中的磁性结，所述磁性结包括：第一参考层；第一非磁性间隔层；以及杂化自由层，包括软磁性层、硬磁性层以及位于硬磁性层与软磁性层之间的氧化物耦合层，软磁性层具有不大于30的第一磁热稳定系数，硬磁性层具有是第一磁热稳定系数的至少两倍的第二磁热稳定系数，杂化自由层使用穿过磁性结的写入电流在多个稳定的磁性状态之间是可切换的。
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