[发明专利]内嵌布拉格光栅的GaN基DFB激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201711386192.4 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108110614A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李俊泽;李沫;张建;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/323;G03F7/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器及其制备方法，该方法步骤为：在GaN自支撑衬底上外延限制层；使用纳米压印技术在基片限制层表面利用SiO2制备均匀的布拉格光栅；制备完整外延片；对光栅进行掩埋生长并外延完整激光器结构；制备激光器芯片。本发明解决了利用电子束曝光制备百纳米级光栅不能大面积应用以及过高的制备成本问题，制备的外延片能利用光栅进行纳米异质外延弯曲位错，阻止位错进入上层结构，提升了外延片晶体质量、工艺简便、与常规工艺兼容，能大幅降低GaN基DFB半导体激光器成本，有效地提高的均匀性。利用本方法制备的DFB激光器因为其单模选择性较好，能运用于高功率固体激光器泵浦源。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 布拉格光栅 光栅 外延片 半导体激光器 限制层 内嵌 位错 高功率固体激光器 纳米压印技术 电子束曝光 激光器结构 激光器芯片 百纳米级 常规工艺 成本问题 上层结构 异质外延 泵浦源 均匀性 有效地 自支撑 衬底 单模 兼容 掩埋 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.内嵌布拉格光栅的GaN基DFB半导体激光器，其特征在于：至少包括位于N型GaN自支撑衬底、下限制层和布拉格光栅结构层，所述N型GaN自支撑衬底位于最底层，下限制层位于N型GaN自支撑衬底上面，布拉格光栅结构层位于下限制层上面。
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