[发明专利]一种晶体生长炉用保温装置在审
| 申请号： | 201711386301.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108130593A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 高攀;孔海宽;忻隽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体生长炉用保温装置，所述保温装置包括卷绕包覆在晶体生长炉外的位于内侧的至少一层第一石墨碳毡和位于外侧的至少一层第二墨碳毡，以及夹所述第一石墨毡和第二石墨毡之间的至少一层石墨纸，沿所述晶体生长炉的纵轴方向，所述第二石墨毡的高度覆盖整个晶体的高度，所述至少一层石墨纸的高度从所述第二石墨碳毡的顶部延伸至晶体生长炉的顶盖下方10～20 mm处，所述第一石墨碳毡的高度大于等于所述至少一层石墨纸的高度，且小于等于所述第二石墨毡的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长炉 石墨毡 保温装置 石墨碳毡 石墨纸 纵轴方向 顶盖 晶体的 包覆 卷绕 碳毡 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
一种晶体生长炉用保温装置，其特征在于，所述保温装置包括卷绕包覆在晶体生长炉外的位于内侧的至少一层第一石墨碳毡和位于外侧的至少一层第二墨碳毡，以及夹所述第一石墨毡和第二石墨毡之间的至少一层石墨纸，沿所述晶体生长炉的纵轴方向，所述第二石墨毡的高度覆盖整个晶体的高度，所述至少一层石墨纸的高度从所述第二石墨碳毡的顶部延伸至晶体生长炉的顶盖下方10～20 mm处，所述第一石墨碳毡的高度大于等于所述至少一层石墨纸的高度，且小于等于所述第二石墨毡的高度。
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