[发明专利]TSV电镀方法有效
| 申请号： | 201711387502.4 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107858728B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 龙俊舟;王鹏;陈红闯 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/10;C25D3/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TSV电镀方法，在电镀液中加入添加剂，对硅基底上的硅通孔及与其连通的沟槽进行电镀，通过调整电镀电流将电镀过程分为三个阶段，三个阶段的电镀电流分别为第一电流值、第二电流值第三电流值，其中，所述第一电流值小于所述第二电流值，所述第二电流值小于所述第三电流值，通过电镀电流的改变，硅通孔和与之连通的沟槽中的金属沉积速率发生变化，并且最终将硅通孔和沟槽填满，在电镀金属的顶部没有形成对应硅通孔的凹坑，在去除高于硅基底表面的过电镀层之后，可以得到具有平坦表面的TSV结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电镀 硅通孔 电镀电流 连通 硅基底表面 电镀金属 沟槽填满 金属沉积 平坦表面 电镀液 凹坑 镀层 硅基 去除 添加剂 | ||
【主权项】：
1.一种TSV电镀方法，其特征在于，包括：提供一硅基底，所述硅基底上形成有硅通孔以及与所述硅通孔连通的沟槽，所述沟槽设置于所述硅基底的表面；在所述硅通孔和所述沟槽的内壁形成种子层；将所述硅基底浸入含有添加剂的电镀液，在第一电流值的条件下，电镀形成第一金属层，所述第一金属层覆盖所述种子层但并不填满所述硅通孔，所述添加剂包括平整剂、抑制剂和加速剂，所述平整剂在所述电镀液中的重量比例为4％～6％，所述抑制剂在所述电镀液中的重量比例为1.5％～3.5％，所述加速剂在所述电镀液中的重量比例为8％～12％；在第二电流值的条件下，电镀形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层但并不填满所述硅通孔；以及在第三电流值的条件下，所述沟槽内的金属离子沉积速度小于所述硅通孔内的金属离子沉积速度，电镀形成第三金属层，直至填满所述硅通孔及所述沟槽；其中，所述第一电流值小于所述第二电流值，所述第二电流值小于所述第三电流值。
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