[发明专利]一种在光刻机上实现4英寸GaN圆片曝光工艺的方法有效

专利信息
申请号: 201711388230.X 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108008609B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 刘磊;殷履文;李永康;王发稳 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是一种在光刻机上实现4英寸GaN圆片曝光工艺的方法,包括如下步骤:(1)更换找中心传感器;(2)安装、固定找中心传感器;(3)更换找平边传感器;(4)通过设计的定位块安装、固定找平边传感器;(5)设计信号处理电路,制作信号处理板,与原机电路板信号相连通;(6)设定传感器放大器信号阈值;(7)选用4英寸GaN圆片,执行圆片传输重复性测试。优点:1)所选用传感器及放大器价格低廉;2)自制传感器固定装置,冗余度高;3)调节方便,精确性和稳定性高。
搜索关键词: 一种 光刻 实现 英寸 gan 曝光 工艺 方法
【主权项】:
1.一种在光刻机上实现4英寸GaN圆片曝光工艺的方法,其特征是该方法包括如下步骤:(1)更换找中心传感器;(2)安装、固定找中心传感器;(3)更换找平边传感器;(4)通过设计的定位块安装、固定找平边传感器;(5)设计信号处理电路,制作信号处理板,与原机电路板信号相连通;(6)设定传感器放大器信号阈值;(7)选用4英寸GaN圆片,执行圆片传输重复性测试;其中所述的光刻机采用型号为NIKON I12D type3的光刻机。
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