[发明专利]一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201711389578.0 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108123046A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李平;邱羽;颜峰坡;范宝殿;江琳沁;严琼;林灵燕 | 申请（专利权）人： | 福建江夏学院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 宋连梅 |
| 地址： | 350000 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池及其制造方法。采用双结叠层电池结构，底电池为n型晶体硅太阳电池，顶电池为钙钛矿太阳电池；所述n型晶体硅太阳电池为背结结构，包括从下到上依次层叠的背电极、p+发射极，n型晶体硅基底，n+前表面场以及前表面钝化层；所述钙钛矿太阳电池制备在n型晶体硅太阳电池的前表面上。这种电池结构还保留了硅片背面的减反射结构，可以增加电池的内反射，减小光学损失。该方法制备工艺简单，可以有效控制太阳电池的制作成本，适用于大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 叠层太阳电池 前表面 大规模工业化生产 叠层电池结构 电池结构 光学损失 前表面场 依次层叠 有效控制 制备工艺 背电极 底电池 顶电池 钝化层 发射极 减反射 内反射 硅片 基底 减小 双结 制备 制造 电池 保留 制作 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿/n型晶体硅叠层太阳电池，其特征在于：采用双结叠层电池结构，底电池为n型晶体硅太阳电池，顶电池为钙钛矿太阳电池；所述n型晶体硅太阳电池为背结结构，包括从下到上依次层叠的背电极、p+发射极，n型晶体硅基底，n+前表面场以及前表面钝化层；所述钙钛矿太阳电池制备在n型晶体硅太阳电池的前表面上。
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