[发明专利]一种单光子雪崩二极管探测器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711391078.0 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231946B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 杨冰;周伟;孙德明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单光子雪崩二极管探测器结构，包括：P型硅衬底，形成于P型硅衬底中的深N阱和深P阱，深N阱中形成有用于形成吸收光子的倍增区域的N | ||
| 搜索关键词： | 单光子雪崩二极管 探测器结构 引出端 深N阱 深P阱 衬底 倍增 阴极 雪崩二极管 阳极 表面覆盖 降低单元 区域形成 整个单元 保护层 填充率 光子 结深 制造 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种单光子雪崩二极管探测器结构的制造方法，其特征在于，所述单光子雪崩二极管探测器结构从下至上包括：/nP型硅衬底；/n并列形成于P型硅衬底中的深N阱和深P阱，所述深N阱和深P阱直接对接，形成第一PN结隔离；/n所述深N阱中依次形成有N
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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