[发明专利]一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法有效
| 申请号： | 201711391604.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108147821B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 程章勇;杨丽雯;刘欣宇;杨雷雷 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B29/10;C30B29/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，该方法制备的高纯多孔氮化铝雏晶料源具有纯度高、孔隙率均匀可控的优点，本发明有效解决了物理气相沉积(PVT)生长氮化铝单晶所需的雏晶料源问题；且本发明方法制备简单，原始粉料有效利用率高，雏晶料源产率高；且高纯多孔雏晶料源生长氮化铝晶体时有效利用率显著增加。尽管在制备氮化铝原始料块时有意引入添加剂，但在高温纯化后不单可以有效去除料块中的添加成分，还可以制备出孔隙率均匀的氮化铝雏晶料源。本发明在制备高纯多孔雏晶料源实验过程中，相邻三批次实验中均可获得纯度高，孔隙率均匀的氮化铝雏晶料源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 多孔 氮化 铝雏晶料源 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯多孔氮化铝雏晶料源制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1)制备粘结剂：量取混合溶液总体积的5～80％的起粘附作用的有机物、2～20％的去离子水以及0.5～20％的氨水，将上述组分混合后以200～2000rpm的搅拌速度搅拌3～10min；2)制备氮化铝块状坯料：称取粉体混合物总重量的50％～96％氮化铝粉体以及4％～50％的NH4NCO3粉体均匀混合为粉体混合物；将步骤1)预制备的粘结剂与所述粉体混合物均匀混合；将混合完毕的粉状料均匀地投放到模具中，采用二次成型工艺进行压制；3)制备雏晶料源：将氮化铝块装坯料放置在坩埚中，同时将其置于热场结构中；在氮气压力为30～100KPa条件下进行提纯处理。
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