[发明专利]一种IC级硅晶片少子寿命测试方法有效
| 申请号： | 201711391688.0 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108054112B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李小艳;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人： | 重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 一种IC级硅晶片少子寿命测试方法，首先测量硅晶片表面粗糙度，清洗硅晶片后，其次根据硅晶片表面粗糙度确定钝化膜生长工艺，最后采用c‑PCD法测量硅晶片的少子寿命。本发明技术在硅晶片表面生成既完全覆盖硅晶片表面又稳定固定电荷的低厚度氧化膜，准确测量硅晶片的少子寿命，测量结果稳定性和重复性好，离散性小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ic 晶片 少子 寿命 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种IC级硅晶片少子寿命测试方法，首先测量硅晶片表面粗糙度，清洗硅晶片后，其次根据硅晶片表面粗糙度确定钝化膜生长工艺，最后采用c-PCD法测量硅晶片的少子寿命。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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