[发明专利]SONOS存储器的ONO刻蚀方法有效
| 申请号： | 201711392296.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108091562B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘政红;辻直樹;陈广龙;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SONOS存储器的ONO刻蚀方法，在已形成ONO叠层的基底上沉积一层阻挡层，利用湿法刻蚀工艺的各向同性特点，轻易完成浅沟槽隔离两侧ONO侧墙的去除而不对底部栅氧化层产生任何等离子体的损伤，器件的可靠性得到保证；同时还可以克服前层浅沟槽隔离平坦化研磨工艺带来的晶圆台阶高度的变化，使刻蚀窗口大大增加。该刻蚀工艺稳定可控，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 存储器 ono 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SONOS存储器的ONO刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括栅极区、器件区及外围区，所述器件区形成有浅沟槽隔离；在所述基底整个表面上形成ONO叠层，所述ONO层包括依次层叠的第一氧化层-氮化层-第二氧化层；在所述第二氧化层上形成阻挡层；采用干法刻蚀工艺去除所述栅极区和所述外围的所述阻挡层，暴露出所述第二氧化层；采用湿法刻蚀工艺去除所述栅极区和所述外围的第二氧化层，暴露出所述氮化层；以及采用湿法刻蚀工艺同时去除所述器件区和所述外围区的氮化层以及所述栅极区的所述阻挡层，以暴露出所述浅沟槽隔离。
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