[发明专利]一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法有效
| 申请号： | 201711393545.3 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108285278B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;茆令文;鲍兆臣;张少波;杨金发;朱启煌;王瑞瑞;年士旺;陶明山 | 申请（专利权）人： | 凯盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/35 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*10 |
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| 搜索关键词： | 一种 高阻高透 ito 玻璃 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高阻高透ITO玻璃基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选取高阻高透氧化物靶材，所述氧化物为金属氧化物或非金属氧化物，采用所述高阻高透氧化物靶材磁控溅镀得到的单一薄膜在8～30nm厚度条件下的光透过率＞96%、电阻＞1*1010Ω；S2、将高阻高透氧化物靶材与ITO靶材共同做为阴极溅射靶；S3、利用步骤S2所述的阴极溅射靶，采用磁控溅射镀膜工艺，在玻璃基板表面制备复合ITO薄膜，ITO靶材功率0.5～1.5 kw，高阻高透氧化物靶材功率2～6 kw；S4、制备得到复合ITO薄膜的光透过率＞96%、电阻5*106～7*1010Ω，完成高阻高透ITO玻璃基板的制备。
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