[发明专利]用于电涡流微压传感器的薄膜片及其制备方法有效
| 申请号： | 201711394208.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108128749B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 金忠;谢锋;何峰;龙悦 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01L9/00;G01L13/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;廖元宝 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于电涡流微压传感器的薄膜片，包括硅衬底和非导电膜片，所述非导电膜片静电键合在所述硅衬底上，所述硅衬底上设有窗口，所述非导电膜片的外侧且正对窗口的位置处溅射有导电薄膜。本发明的薄膜片具有结构简单、厚度均匀等优点。本发明还公开了薄膜片的制备方法，包括以下步骤：S01、准备单晶硅片和非导电膜片，并分别进行双面抛光；S02、将双面抛光的单晶硅片和非导电膜片进行静电键合，形成键合片；S03、在单晶硅片上腐蚀出窗口，并停止于非导电膜片，其中单晶硅片形成硅衬底；S04、在非导电膜片外侧于窗口的位置处溅射一层导电的薄膜，形成导电薄膜。本发明的制备方法操作简便、易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 涡流 传感器 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于电涡流微压传感器的薄膜片，其特征在于，包括硅衬底（13）和非导电膜片（12），所述非导电膜片（12）静电键合在所述硅衬底（13）上，所述硅衬底（13）上设有窗口，所述非导电膜片（12）的外侧且正对窗口的位置处溅射有导电薄膜（14）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所，未经中国电子科技集团公司第四十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711394208.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
