[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底上具有栅极，栅极两侧的基底内具有源漏掺杂区，基底上还具有介质层，介质层覆盖栅极的侧壁；位于介质层内且贯穿介质层厚度的凹槽，凹槽底部露出源漏掺杂区表面；位于凹槽底部的第一硅化金属层，第一硅化金属层包括沿所述栅极长度方向上排列且相邻接的第一区域和第二区域，其中，第一区域靠近所述栅极，且位于第二区域与栅极之间；位于第二区域的第一硅化金属层内且贯穿第一硅化金属层厚度的第二硅化金属层，第二硅化金属层厚度大于第一硅化金属层厚度；填充满所述凹槽的导电层。本发明能够提高半导体结构的击穿电压，改善半导体结构的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有栅极，所述栅极两侧的所述基底内具有源漏掺杂区，所述基底上还具有介质层，所述介质层覆盖所述栅极的侧壁；形成贯穿所述介质层厚度的凹槽，所述凹槽底部露出所述源漏掺杂区表面；在所述凹槽底部形成第一金属膜；对所述第一金属膜进行第一退火处理，使所述第一金属膜转化为第一硅化金属层，所述第一硅化金属层包括沿所述栅极长度方向上排列且相邻接的第一区域和第二区域，其中，所述第一区域靠近所述栅极，且位于第二区域与栅极之间；在所述第二区域的第一硅化金属层表面形成第二金属膜；对所述第二金属膜进行第二退火处理，使所述第二金属膜转化为贯穿所述第一硅化金属层厚度的第二硅化金属层，且所述第二硅化金属层厚度大于所述第一硅化金属层厚度。对所述第二金属膜进行第二退火处理后，形成填充满所述凹槽的导电层。