[发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制作方法。上述制作方法获得结型场效应晶体管包括：N型衬底、N型外延层、在N型外延层中形成的埋层式的P型栅极区域、氧化层、贯穿氧化层并延伸至P型栅极区域的栅沟槽、形成于栅沟槽内壁且与P型栅极区域连接的P型扩散区域、形成于栅沟槽中的多晶硅、形成于N型外延层表面的N型区域、贯穿氧化层且对应N型区域的开口、在氧化层及栅沟槽上形成的连接多晶硅的栅极金属、源极金属、及漏极金属，P型栅极区域包括多个相互平行的第一条形部及多个与第一条形部垂直相交的第二条形部，最外侧的第二条形部与栅沟槽及P型扩散区相接，最外侧的第二条形部一侧的第一条形部与第二条形部位于N型区域的下方。

主权项

1.一种结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，依序在所述N型衬底上形成N型外延层及热氧化层；提供第一光刻板，罩设于所述N型外延层上方，所述第一光刻板包括沿第一方向延伸的多个第一条形区域及多个与多个第一条形区域垂直绝缘相交的第二条形区域；使用所述第一光刻板进行P型注入，从而在所述N型外延层中形成P型栅极区域，所述P型栅极区域位于所述N型外延层的上下表面之间的埋层区域，所述P型栅极区域包括与所述多个第一条形区域对应的多个第一条形部及与所述多个第二条形区域的第二条形部；提供第二光刻板，所述第二光刻板包括第三条形区域，所述第三条形区域沿垂直所述第一方向的第二方向延伸，且所述第三条形区域的位置对应所述最外侧的一第二条形部；使用所述第二光刻板对所述热氧化层及N型外延层进行刻蚀，从而形成贯穿所述热氧化层并延伸至所述最外侧的第二条形部的栅沟槽；在所述栅沟槽中及所述热氧化层上形成具有P型杂质的多晶硅；对所述多晶硅进行回刻，从而去除所述热氧化层上的多晶硅，所述栅沟槽中的多晶硅被保留；对所述P型栅极区域及所述多晶硅中的P型杂质进行热扩散及推进，使得所述P型栅极区域进一步扩散，并且使得所述多晶硅中的P型杂质扩散至所述栅沟槽内壁的N型外延层中形成P型扩散区域，所述P型扩散区域底部还与所述最外侧的第二条形部相连接；提供第三光刻板，所述第三光刻板具有覆盖位于所述最外侧的第二条形部一侧的第二条形部及第一条形部的矩形区域；使用所述第三光刻板对所述热氧化层进行刻蚀从而在所述热氧化层中形成贯穿的开口，利用所述开口对所述N型外延层表面进行N型注入与推进，从而在所述N型外延层表面形成设置于所述最外侧的第二条形部一侧的第一条形部及第二条形部上方的N型区域；在所述热氧化层及栅沟槽上形成连接所述多晶硅的栅极金属，在所述热氧化层及所述开口处的N型区域表面形成源极金属；在所述N型衬底远离所述N型外延层的表面形成漏极金属。