[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711394962.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950314B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的栅极，所述栅极覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述栅极两侧的所述鳍部内形成凹槽；在所述凹槽内填充第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有N型离子或P型离子，且所述第一掺杂层顶部低于所述鳍部顶部；在所述第一掺杂层顶部形成填充满所述凹槽的第二掺杂层，所述第二掺杂层内掺杂有N型离子或P型离子，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层的掺杂离子类型相同，且所述第二掺杂层的离子掺杂浓度大于所述第一掺杂层的离子掺杂浓度。本发明能够有效抑制半导体结构的短沟道效应，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底和凸出于所述衬底的鳍部；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的栅极，所述栅极覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；在所述栅极两侧的所述鳍部内形成凹槽；在所述凹槽内填充第一掺杂层，所述第一掺杂层内掺杂有N型离子或P型离子，且所述第一掺杂层顶部低于所述鳍部顶部；在所述第一掺杂层顶部形成填充满所述凹槽的第二掺杂层，所述第二掺杂层内掺杂有N型离子或P型离子，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层的掺杂离子类型相同，且所述第二掺杂层的离子掺杂浓度大于所述第一掺杂层的离子掺杂浓度。
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