[发明专利]切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法，涉及半导体器件的制造。本发明在硅片N+磷表面切割形成井字型交错的沟槽，采用硅各向异性择优腐蚀液KOH对P+N‑N+型硅扩散片上所述的沟槽进行化学腐蚀，待化学腐蚀反应自动停止于锥形尖底后，在所述的沟槽处形成纵剖面呈等腰梯形且内底角角度等于54.7°的锥形腐蚀槽，从而得到底部相连的硅芯阵列。本发明的优点是工艺简化，高效率低成本，产品性价比较高，产生显著经济效益。

主权项

一种切槽蚀刻锥形正台面硅芯的制备方法，其特征在于，步骤如下：1)在N型(100)晶向硅单晶片的正、反两表面分别扩散入P⁺型半导体杂质硼和N⁺型半导体杂质磷，得到P⁺N^‑N⁺型硅扩散片；2)在P⁺N^‑N⁺型硅扩散片的正、反面镀上镍层；3)在P⁺N^‑N⁺型硅扩散片的正、反面涂布抗腐蚀光刻胶；4)在硅片N⁺磷表面切割形成井字型交错的沟槽，井字形一组对边平行于(100)晶面硅单晶片(110)晶向定位标志线，另一组对边垂直于硅单晶片(110)晶向的定位标志线，且沟槽的宽度L和深度H满足：D‑h≤H+0.706L<D式中：D为硅单晶片的厚度，h为供后续激光切割的硅单晶片预留深度；5)采用硅各向异性择优腐蚀液KOH对P⁺N^‑N⁺型硅扩散片上所述的沟槽进行化学腐蚀，待化学腐蚀反应自动停止于锥形尖底后，在所述的沟槽处形成纵剖面呈等腰梯形且内底角角度等于54.7°的锥形腐蚀槽，从而得到底部相连的硅芯阵列；6)对硅芯进行表面钝化，去胶；7)对硅芯底部预留的硅单晶片连接部分进行激光切割，得到锥形正台面硅芯。