[发明专利]一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线

摘要

一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，涉及一种波导缝隙天线。由下层的馈电波导和上层的辐射波导组成；入射波从馈电端口依次经过馈电波导、耦合缝隙、辐射波导，最终由辐射缝隙辐射到外部空间，所述馈电端口和馈电波导采用标准馈电波导从背面通过中央孔径馈入，采用四角馈电代替传统的中心馈电，通过具有4个臂的馈电波导将信号从中心延伸到4个天线角，由两端向中间等幅同向馈电，在馈电波导中央能形成PMC边界，由此来代替金属边界减小尺寸，降低设计成本，馈电波导的长度为44.8mm，宽度为5mm，高度为2mm。 1

主权项

1.一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于由下层的馈电波导和上层的辐射波导组成；入射波从馈电端口依次经过馈电波导、耦合缝隙、辐射波导，最终由辐射缝隙辐射到外部空间。

2.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述馈电端口和馈电波导采用标准馈电波导从背面通过中央孔径馈入，采用四角馈电代替中心馈电，通过具有4个臂的馈电波导将信号从中心延伸到4个天线角，由两端向中间等幅同向馈电，在馈电波导中央能形成PMC边界。

3.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于馈电波导的长度为44.8mm，宽度为5mm，高度为2mm。

4.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述耦合缝隙为同相馈电方式，耦合缝隙开于馈电波导上表面，耦合缝隙数目为2×8。

5.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述耦合缝隙的一维泰勒分布由耦合缝隙的偏转角控制，耦合缝隙的长度为3.75mm，宽度为1mm，厚度为0.4mm。

6.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述相邻耦合缝隙之间的间距L_c为0.5λ_gf，终端耦合缝隙距离波导终端端面的距离为0.5λ_gf，λ_gf为馈电波导波长。

7.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述辐射波导置于下层的馈电波导上部，采用馈电波导上表面所开耦合缝隙同相馈电，长度为42.8mm，宽度为5.2mm，高度为2mm；在辐射波导中央水平方向能等效成PEC终端。

8.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述辐射缝隙采用波导缝隙阵列，辐射缝隙开于辐射波导上表面，由聚焦位置计算其相位，幅度为泰勒分布，辐射缝隙数目为8×8，每个辐射缝隙的长度为3.87mm，宽度为1.5mm，厚度为0.4mm。

9.如权利要求1所述一种基于四角馈电的双层波导缝隙近场聚焦阵列天线，其特征在于所述相邻辐射缝横向之间的间距L_r为λ_g，纵向之间的间距取决于所需聚焦位置，终端四角辐射缝隙中心距离波导上下终端面的距离为0.5λ_gr，λ_gr为辐射波导波长。