[发明专利]一种双插入层反射镜结构的垂直结构LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双插入层反射镜结构的垂直结构LED芯片，包括Si衬底、LED外延片、反射镜第一插入金属层、纳米Ag反射镜和反射镜第二插入金属层；LED外延片生长在Si衬底上，反射镜第一插入金属层生长在LED外延片表面，纳米Ag反射镜生长在反射镜第一插入金属层表面，反射镜第二插入金属层生长在纳米Ag反射镜表面。本发明还提供一种双插入层反射镜结构的垂直结构LED芯片的制备方法。本发明的垂直结构LED芯片改善了Ag基反射镜黏附性差和热稳定差的问题，大幅度提高Ag反射镜的工艺稳定性及反射镜反射率，进而提高了垂直结构LED芯片的良率及光输出效率。

主权项

1.一种双插入层反射镜结构的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括Si衬底、LED外延片、反射镜第一插入金属层、纳米Ag反射镜和反射镜第二插入金属层；所述LED外延片生长在Si衬底上，所述反射镜第一插入金属层生长在LED外延片表面，所述纳米Ag反射镜生长在反射镜第一插入金属层表面，所述反射镜第二插入金属层生长在纳米Ag反射镜表面；所述LED外延片包括n型掺杂GaN薄膜、InGaN/GaN量子阱和p型掺杂GaN薄膜；所述n型掺杂GaN薄膜生长在Si衬底上，所述InGaN/GaN量子阱生长在n型掺杂GaN薄膜上，所述p型掺杂GaN薄膜生长在InGaN/GaN量子阱上。