[发明专利]一种钪酸钆钇晶体及熔体法晶体生长方法

摘要

本发明公开一种钪酸钆钇晶体及其熔体法晶体生长方法，分子式可表示为Gd1‑xYxScO3(x＝0～1)，能够用Gd2O3、Y2O3、Sc2O3，或相应的钆、钇、钪的其他化合物进行配料，只要最终化合为Gd1‑xYxScO3即可；配制好的原料经充分混合、压制成圆饼，经高温烧结或不进行高温烧结，成为晶体生长的初始原料；生长初始原料放入坩埚加热完全熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其他熔体法来进行生长。Gd1‑xYxScO3单晶可用作外延材料薄膜的衬底材料或激光基质晶体。

主权项

1.一种钪酸钆钇晶体，其特征在于：钪酸钆钇晶体的分子式为Gd1-xYxScO3，其中，x的取值范围为0～1之间的任意数。