[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711397391.5 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108054210B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、P型体区、第一沟槽及第二沟槽；在所述第一及第二沟槽中的栅氧化层上及所述P型体区上形成多晶硅；对所述多晶硅进行热处理，使得所述多晶硅中的N型杂质进入所述P型体区邻近所述多晶硅的表面，从而在所述P型体区邻近所述多晶硅的表面形成N型源区，并且所述沟槽外侧的多晶硅被氧化为位于所述N型源区上的二氧化硅；形成贯穿所述第一与第二沟槽两侧的二氧化硅及N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；形成正面金属层与背面金属。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 垂直 扩散 金属 氧化物 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、初始氧化层及氮化硅层；进行P型体区的注入及驱入，从而在所述N型外延层邻近所述初始氧化层的一侧形成P型体区；形成贯穿所述氮化硅层、所述初始氧化层及所述P型体区并延伸至所述N型外延层中的第一沟槽及第二沟槽；在所述P型体区及所述N型外延层中的所述第一沟槽内壁及所述第二沟槽内壁形成栅氧化层；去除所述氮化硅层及初始氧化层；在所述第一及第二沟槽中的栅氧化层上及所述P型体区上形成多晶硅；对所述多晶硅进行热处理，使得所述多晶硅中的N型杂质进入所述P型体区邻近所述多晶硅的表面，从而在所述P型体区邻近所述多晶硅的表面形成N型源区，并且所述沟槽外侧的多晶硅被氧化为位于所述N型源区上的二氧化硅；对所述二氧化硅、所述N型源区及所述P型体区进行刻蚀，从而形成贯穿所述第一与第二沟槽两侧的二氧化硅及N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；在所述二氧化硅上形成正面金属层，所述正面金属通过所述接触孔连接所述P型体区；在所述N型衬底远离所述N型外延层的表面形成背面金属。
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