[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

摘要

一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括：提供N型衬底，形成具有第一及第二开口初始氧化层、P型体区；在初始氧化层侧壁形成氮化硅侧墙，第一开口处的P型体区被氮化硅侧墙填满，第二开口处的氮化硅侧墙围成第三开口；利用第三开口对P型体区进行刻蚀，从而在P型体区表面形成第一沟槽；去除初始氧化层，从而在初始氧化层位置形成由氮化硅侧墙围成的第四开口；利用第三开口及第四开口再刻蚀P型体区，从而使得第一沟槽加深进而贯穿P型体区延伸至N型外延层，以及形成对应第四开口、贯穿P型体区并延伸至N型外延层中的第二沟槽，第一沟槽深度及宽度均大于第二沟槽；形成栅氧化层、多晶硅、N型源区、接触孔、正面金属及背面金属。

主权项

1.一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、初始氧化层，进行P型体区的注入及驱入，从而在所述N型外延层邻近所述初始氧化层的一侧形成P型体区；对所述初始氧化层进行光刻及刻蚀，从而形成贯穿所述初始氧化层的第一开口与第二开口；在所述初始氧化层的邻近所述第一及第二开口的侧壁形成氮化硅侧墙，其中所述第一开口处的P型体区被所述氮化硅侧墙填满，所述第二开口处的氮化硅侧墙围成第三开口；利用所述第三开口对所述P型体区进行刻蚀，从而在所述P型体区表面形成第一沟槽；去除所述初始氧化层，从而在所述初始氧化层位置形成由氮化硅侧墙围成的第四开口；利用所述第三开口及第四开口进一步刻蚀所述P型体区，从而使得第一沟槽加深进而贯穿所述P型体区延伸至所述N型外延层，以及形成对应所述第四开口、贯穿所述P型体区并延伸至所述N型外延层中的第二沟槽，所述第一沟槽深度及宽度均大于所述第二沟槽；去除所述氮化硅侧墙；在所述第一沟槽及第二沟槽中依序形成栅氧化层及多晶硅；对所述P型体区表面进行N型离子注入，从而在所述P型体区表面形成N型源区；在所述N型源区、所述第一及第二沟槽的栅氧化层与多晶硅上形成介质层；形成贯穿所述介质层与所述N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；在所述介质层上形成正面金属及在所述N型衬底远离N型外延表面形成背面金属，所述正面金属通过所述接触孔连接所述P型体区。