[发明专利]适合划片且能避免裂痕的半导体晶粒在审
| 申请号： | 201711397508.X | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109950208A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种适合划片且能避免裂痕的晶粒及其制造方法，该方法主要适用于衬底材料和基板材料热膨胀系数严重失配的情况。基板材料形成的器件区域为多边形，其所有内角均为钝角。划片道不横穿器件区域，它与至少部分包围器件区域的边界区域重合。器件区域与晶粒外形不同。 | ||
| 搜索关键词： | 器件区域 晶粒 基板材料 裂痕 划片 半导体晶粒 热膨胀系数 边界区域 衬底材料 划片道 重合 钝角 内角 失配 横穿 包围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种适合划片且能避免裂痕的半导体晶粒，其特征在于含有：一含有一种衬底材料、具有第一多边形形状的衬底，该第一多边形含有一边角以及在该边角处相交的第一边和第二边；至少一含有一种半导体材料、具有第二多边形形状的基板，该基板形成在该衬底上，该第二多边形的边数超过四条且所有内角均大于90度；该第二多边形的边数大于该第一多边形的边数，该第二多边形含有一与该第一边平行的第三边和一与该第二边平行的第四边，该第三边和该第四边不相交；该衬底材料的热膨胀系数与该半导体材料的热膨胀系数不同。
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