[发明专利]耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构

摘要

本发明涉及一种耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构，包括以下步骤：在SiC衬底上生长N‑漂移层；在所述N‑漂移层内制备P阱；在所述P阱内制备N+源区和P+接触区；依次制备第一隔离介质层、栅极和第二隔离介质层；在所述N+源区和所述P+接触区表面制备欧姆接触孔；在所述欧姆接触孔中制备源极欧姆接触金属层；在所述源极欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上制备源极铜石墨烯电极；在所述SiC衬底背面依次制备漏极欧姆接触金属层和漏极电极，最终形成所述耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件。在本实施例中，通过磷离子注入结合低温氧化对界面形成磷钝化的效果，源极电极采用铜石墨烯复合材料，提高了器件耐高温的性能降低了器件的功耗。

主权项

1.一种耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在SiC衬底上生长N‑漂移层；在所述N‑漂移层内制备P阱；在所述P阱内制备N+源区和P+接触区；在包括所述N+源区和所述P+接触区的所述P阱以及所述N‑漂移层上依次制备第一隔离介质层、栅极和第二隔离介质层；在所述N+源区和所述P+接触区表面制备欧姆接触孔；在所述欧姆接触孔中制备源极欧姆接触金属层；在所述源极欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上制备源极铜石墨烯电极；在所述SiC衬底背面制备漏极欧姆接触金属层；在所述漏极欧姆接触金属层表面制备漏极电极，最终形成所述耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件；在所述源极欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上制备源极铜石墨烯电极，包括：利用磁控溅射工艺，在所述欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上溅射铜石墨烯复合材料形成所述源极铜石墨烯电极；在所述源极欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上制备源极铜石墨烯电极，包括：利用磁控溅射工艺，在所述源极欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上溅射第一铜金属层；在1000℃温度下，利用CVD工艺，在所述第一铜金属层表面生长石墨烯层；利用磁控溅射工艺，在所述石墨烯层表面溅射第二铜金属层；在500℃温度下，退火30分钟，形成所述源极铜石墨烯电极。