[发明专利]一种QFN封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711397909.5 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN107946259A 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 李扬渊 申请(专利权)人: 苏州迈瑞微电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G06K9/00
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种QFN封装结构,包括位于所述封装结构底侧且裸露的芯片座,芯片座顶面设置有芯片,芯片座四周设置有若干引脚,所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露;所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚;塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封;还包括从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面,由下而上切削而成的凹槽,所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度,且小于所述封装结构的侧面的厚度。在焊接该QFN封装结构时,如果锡过量,多余的锡会被引导到该槽中,因此,就不会增加QFN封装在PCB板上所占据的面积,提高焊接质量。
搜索关键词: 一种 qfn 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种QFN封装结构,包括位于所述封装结构底侧芯片座,芯片座顶面设置有芯片,芯片座四周设置有若干引脚,所述若干引脚在所述封装结构的底侧和侧面裸露;所述芯片的外接端子通过金属导线连接到相对应的引脚;塑封体将所述芯片、引脚和金属导线密封;其特征在于,还包括:从所述封装结构的底面沿着所述封装结构的侧面,由下而上切削而成的凹槽,所述凹槽的深度大于等于在侧面裸露的所述引脚的厚度,且小于所述封装结构的侧面的厚度。
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