[发明专利]一种薄膜扭矩传感器芯片及制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜扭矩传感器芯片及制造方法，制造方法包括准备弹性体材料；加工弹性体材料；将弹性体退火处理；研磨抛光；在原子薄膜沉积系统中沉积原子级的过渡层、绝缘层、薄膜电阻层、接触层后光刻形成应变电阻；将光刻好的弹性体材料进行退火处理；切割分离成敏感单元；引出信号线；涂敷保护层，烘干形成薄膜扭矩传感器芯片。由于弹性体材料采用了大面积整块材料加工，生产效率高，产品成本低，一致性好。

主权项

一种薄膜扭矩传感器芯片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.准备弹性体材料，所述弹性体材料包括但不限于不锈钢、钛合金、非晶合金；S2.采用机械加工的方法或者激光切割的方法，加工出具有定位边(12)的弹性体材料(1)，所述弹性体材料(1)的大小是4英寸、6英寸、8英寸、12英寸中的一种；S3.将加工好的所述弹性体材料(1)放入高温退火炉中进行退火处理；S4.利用机械研磨抛光方法，将所述弹性体材料(1)的上表面(11)进行研磨抛光，然后清洗烘干备用；S5.将烘干后的弹性体材料(1)放入具有二个共溅射离子加速器、一个辅助清洗离子加速器的原子薄膜沉积系统的真空腔室中；S6.启动原子薄膜沉积系统，将真空腔室抽真空，启动所述辅助清洗离子加速器对弹性体材料(1)的上表面(11)进行离子束轰击清洗，使所述上表面(11)进一步抛光，去除上表面(11)上的吸附物，使上表面(11)达到原子级清洁度，同时增强上表面(11)表面原子能量；S7.启动二个共溅射离子加速器，在所述弹性体材料(1)的上表面(11)上依次共溅射沉积原子级的过渡层(13)、绝缘层(14)、薄膜电阻层(15)、接触层(16)；S8.将沉积好过渡层(13)、绝缘层(14)、薄膜电阻层(15)、接触层(16)的所述弹性体材料(1)进行光刻，形成位于中部位置的薄膜电阻(15‑1)和位于两端的二个接触层焊盘(16‑1)；S9.将光刻好的弹性体材料(1)放入高温炉中，进行退火处理；S10.将退火处理好的弹性体材料(1)切割分离成敏感单元(2)；S11.在所述敏感单元(2)的二个接触层焊盘(16‑1)上引出信号线；S12.在所述敏感单元(2)的表面涂敷保护层(17)，烘干。