[发明专利]一种掺锰的卤化铅铯荧光玻璃薄膜的静电制备方法在审

专利信息
申请号: 201711399246.0 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN108258104A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 向卫东;何美玲;梁晓娟 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325000 浙江省温州市瓯海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种掺锰的卤化铅铯荧光玻璃薄膜的静电制备方法,包括以下步骤:首先将碳酸铯和油酸溶解于1‑十八稀中,在氮气保护条件下得到铯油酸盐溶液,然后快速注入到完全溶解的、温度范围为140℃~200℃的掺锰的卤化铅盐溶液中,得到的产物即为Mn‑doped CsPbX3量子点,接着离心纯化,量子点可溶解在正己烷和甲苯中,最后,将制备好的Mn‑doped CsPbX3量子点结合油墨涂覆于玻璃表面形成厚度均匀的一层薄膜,该薄膜夹在两块玻璃中间,通过抽真空排气泡使该薄膜与外界环境密封隔绝,得到掺锰的卤化铅铯量子点荧光玻璃薄膜。本发明优点是荧光玻璃薄膜的稳定性和长久性佳。
搜索关键词: 薄膜 卤化 荧光玻璃 量子点 制备 静电 油酸 氮气保护条件 玻璃表面 厚度均匀 离心纯化 两块玻璃 密封隔绝 外界环境 完全溶解 薄膜夹 长久性 抽真空 可溶解 排气泡 碳酸铯 油酸盐 正己烷 甲苯 铅盐 涂覆 油墨 溶解
【主权项】:
1.一种掺锰的卤化铅铯荧光玻璃薄膜的静电制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)首先将碳酸铯和油酸溶解于1‑十八稀中,在氮气保护条件下得到铯油酸盐溶液;(2)然后将MnCl2·(H2O)4和PbX2按比例溶解于十八稀中,最后将第一步制得的铯油酸盐快速的注入到完全溶解的、温度范围为140℃~200℃的掺锰的卤化铅盐溶液中,得到的产物即为Mn‑doped CsPbX3量子点;(3)接着离心纯化,量子点可溶解在正己烷中;(4)将制备好的Mn‑doped CsPbX3量子点均匀分布于油墨中,通过匀胶机使其最大化均匀,然后涂覆于玻璃表面形成厚度均匀的一层薄膜,该薄膜夹在两块玻璃中间,通过抽真空排气泡使该薄膜与外界环境密封隔绝,得到掺锰的卤化铅铯量子点荧光玻璃薄膜。
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