[发明专利]一种集成电路用单晶硅片边缘倒角方法有效
| 申请号： | 201711399312.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108177044B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 周静;张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人： | 重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明技术提供一种集成电路用单晶硅片的边缘倒角方法，采用两步法对集成电路用硅片进行边缘倒角，分别为倒角粗磨和倒角精磨。倒角砂轮沟槽的特征在于沟槽底部为一段圆弧，侧边为抛物线。底部圆弧与侧边抛物线相交，底部圆弧在交点处的切线和抛物线在交点处的切线重合。砂轮磨粒的材质为金刚石，配合砂轮转速、硅片转速、磨削液流量，达到无缺陷倒角的效果，有效地控制了硅片倒角时边缘出现的点状、带状、短线、崩边、毛刺、形状不良等缺陷问题，延长倒角砂轮的使用寿命，提高了硅片的加工成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 单晶硅 边缘 倒角 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路用单晶硅片的边缘倒角技术，采用两步法对集成电路用硅片进行边缘倒角，分别为倒角粗磨和倒角精磨；倒角砂轮沟槽的特征在于沟槽底部为一段圆弧，侧边为抛物线；底部圆弧与侧边抛物线相交，形成两个交点，交点A和交点B；底部圆弧在交点处的切线和抛物线在交点处的切线重合，即沟槽侧边的抛物线段与圆弧段的连接处曲线的斜率相等，并通过交点A或交点B；砂轮磨粒的材质为金刚石，配合砂轮转速、硅片转速、磨削液流量，达到无缺陷倒角的效果。
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