[发明专利]一种集成SOA和AWG的光组件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711399451.7 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108121034B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 岳阳阳;徐红春;刘成刚;宋小平 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/124 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 刘黎明 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光组件及其制备方法，用于实现SOA和AWG的高度集成，属于光通信技术领域，具体涉及一种集成SOA和AWG的光组件及其制备方法。本发明通过从SOA和AWG的生产工艺方面进行改进控制，将SOA的有源层和AWG的芯片层完全对准，并通过添加隔离层，不仅能够减小整体组件的体积，而且能够通过控制SOA的增益实现光功率的恒定输出。此外，在上述基本组件的基础上再次集成温度传感元件、透镜等元件，来实现精度更高的光谱匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 soa awg 组件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种集成SOA和AWG光组件的制备方法，其特征在于，包括：将硅基板分为放大区和复用区，在所述放大区和复用区之间设置隔离区；在隔离区域生长阻止AWG和SOA材料渗透的隔离层；在所述放大区沉积得到SOA部分结构；在所述复用区沉积法AWG下包层(10)和芯片层(11)；刻蚀所述SOA外延片波导层(15)、有源区(16)以及AWG的芯片层(11)；沉积AWG上包层(12)。
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