[发明专利]一种生长在Ce:YAG单晶衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201711399602.9 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108269889A | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 向卫东;蒋举涛;梁晓娟 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用，其结构包括Ce：YAG单晶衬底和生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜；Ce：YAG单晶衬底以(111)面为外延面，Ce：YAG单晶衬底与GaN薄膜的取向关系为：Ce：YAG单晶衬底的(111)面平行于GaN薄膜的(0001)面。由此生长的GaN薄膜的晶体质量好。本发明亦公开了生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜的制备方法，该制备工艺方法简单，制备成本低，可用于批量生产，易于商业化。此外，本发明还把生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜应用于LED器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 单晶 生长 制备方法和应用 制备 取向关系 制备工艺 外延面 可用 平行 应用 生产 | ||
【主权项】：
1.一种生长在Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜，其特征在于：包括Ce：YAG单晶衬底和生长在所述的Ce：YAG单晶衬底上的GaN薄膜，所述的Ce：YAG单晶衬底以(111)面为外延面，所述Ce：YAG单晶衬底与所述GaN薄膜的取向关系为：Ce：YAG单晶衬底的(111)面平行于GaN薄膜的(0001)面。
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