[发明专利]一种富含缺陷位的片状金属氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711400013.8 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108101100A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 高寒阳;胡国新 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学;上海交通大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C01G23/053;C01G41/02;C01G49/06;C01G51/04;C03C17/23;C08J7/06;D21H19/64;B05D1/02;C08L67/02 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种富含缺陷位的片状金属氧化物薄膜的制备方法，利用富含边缘缺陷的超小尺寸二维片状金属氧化物颗粒，在连接剂的辅助之下自组装形成大尺寸的超薄的片状材料；再利用氢化过程对自组装得到的薄片进行晶化处理，使得拼接的小片之间形成化学键，形成大片晶体，并在大片晶体形成过程中在材料表面和内部保留大量的边缘缺陷，从而得到富含缺陷位的二维片状金属氧化物。与现有技术相比，本方法制备得到的粉末为大尺寸片状晶体的松散堆叠，可方便的分散在溶解中，此分散液可通过多种方法沉积在柔性衬底在内的各种衬底上，制备得到致密光滑的氧化金属功能薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 富含 制备 片状金属氧化物 边缘缺陷 二维片状 自组装 衬底 薄膜 金属氧化物颗粒 致密 化学键 金属氧化物 大片 功能薄膜 晶化处理 晶体形成 片状材料 片状晶体 氢化过程 氧化金属 分散液 连接剂 再利用 堆叠 沉积 光滑 拼接 松散 溶解 保留 | ||
【主权项】：
1.一种富含缺陷位的片状金属氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，该方法首先制备得到超小尺寸的富含边缘缺陷的二维片状金属氧化物颗粒，在连接剂的作用下于冷冻干燥过程中自组装形成大尺寸的超薄的片状材料，再进行氢化处理，控制温度和压力，使得材料在晶化生长成为大尺寸颗粒的同时，其自组装形成的大尺寸二维超薄片状得以保留，小片上丰富的边部缺陷也保留在大片状材料表面或内部，从而形成富含缺陷位的二维片状金属氧化物。
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