[发明专利]一种二极管链式封装炉有效
申请号: | 201711400502.3 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108155122B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 王磊;王峥;方松;徐洋 | 申请(专利权)人: | 合肥费舍罗热工装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 合肥三川专利代理事务所(普通合伙) 34150 | 代理人: | 李霞 |
地址: | 231200 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种二极管链式封装炉,包括炉体、气氛控制系统、温度控制系统和传动系统,炉体设置有直通敞口,炉体包括依次设置的进口平台、进口过渡段、进口保温段、加热段、出口保温段、冷却段、出口过渡段和出口平台,进口过渡段和出口过渡段均设置有过渡气封钢套,气氛控制系统包括气氛发生装置、温度控制装置、气路控制装置和烟气通道,温度控制系统包括温控仪表、K分度热偶和温度报警系统,传动系统包括网带传送装置和设置在温控仪表上的变频调速装置,网带传送装置设置在炉体的直通敞口位置处。本发明的方案可使得封装炉整体的漏点少,全程氧含量满足工艺要求,温控效果好,连续传动稳定,操作方便,使得生产的产品质量更好。 | ||
搜索关键词: | 一种 二极管 链式 封装 | ||
【主权项】:
一种二极管链式封装炉,包括炉体、气氛控制系统、温度控制系统和传动系统,其特征在于:所述炉体设置有直通敞口,所述炉体包括依次设置的进口平台、进口过渡段、进口保温段、加热段、出口保温段、冷却段、出口过渡段和出口平台,所述进口过渡段和出口过渡段均设置有过渡气封钢套,所述过渡气封缸套用于产生氮气气幕,所述气氛控制系统包括气氛发生装置、温度控制装置、气路控制装置和烟气通道,所述气氛发生装置为氮气发生装置,所述气路控制装置包括贯穿在炉体的炉衬上的热气通道,所述温度控制装置用于控制氮气的温度,所述温度控制装置设置在热气通道外或气氛发生装置的出口端或烟气通道的进口端,所述烟气通道设置在过渡气封缸套内,所述烟气通道用于产生氮气气幕,所述温度控制系统包括温控仪表、K分度热偶和温度报警系统,所述K分度热偶和温度报警系统均通过信号线连接在温控仪表上,所述K分度热偶设置在炉体上的温度调节区内,所述传动系统包括网带传送装置和设置在温控仪表上的变频调速装置,所述网带传送装置设置在炉体的直通敞口位置处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造