[发明专利]一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201711400517.X | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108122963B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管，包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区，其特征在于：所述SOI衬底包括埋氧层、衬底层和顶硅层。所述埋氧层覆盖于衬底层之上。所述顶硅层位于埋氧层之上。一种电势控制快速横向绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶硅层中形成。所述漂移区贴附于埋氧层的上方，所述漂移区由N基区构成。所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧。所述栅极区贴附于阴极区上方。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电势 控制 快速 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种电势控制快速横向绝缘栅双极型晶体管，包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区，其特征在于：所述SOI衬底包括埋氧层(5)、衬底层(6)和顶硅层；所述埋氧层(5)覆盖于衬底层(6)之上；所述顶硅层位于埋氧层(5)之上；一种电势控制快速横向绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶硅层中形成；所述漂移区贴附于埋氧层(5)的上方，所述漂移区由N基区(9)构成；所述阳极区和阴极区分别位于N基区(9)的两侧；所述栅极区贴附于阴极区上方。
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