[发明专利]高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711401571.6 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108103466A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 何永才;崔鸽;郁操 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 赵景平;张春雨 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：根据第一预定功率和第一预定压力，设置靶功率密度以及工艺气压；在衬底上以预定生长速度生长出第一预定膜厚的薄膜基础层；使工艺气体的等离子体，按预定时间轰击所述薄膜基础层，诱导所述薄膜基础层再结晶，使所述薄膜基础层沿指定晶面生长出籽晶层；将靶功率密度降低至第二预定功率，并根据第二预定压力设置工艺气压，以诱导所述籽晶层沿指定晶面生长为第二预定膜厚的透明导电氧化物薄膜；获得高迁移率透明导电氧化物薄膜。本发明在改善TCO薄膜的综合性能的同时，可以有效降低能耗，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电氧化物薄膜 薄膜基础 高迁移率 生长 工艺气压 预定功率 预定压力 籽晶层 晶面 膜厚 制备 诱导 等离子体 有效降低能耗 工艺气体 密度降低 综合性能 再结晶 衬底 轰击 节约 | ||
【主权项】：
1.一种高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：根据第一预定功率和第一预定压力，设置靶功率密度以及工艺气压；在衬底上以预定生长速度生长出第一预定膜厚的薄膜基础层；使工艺气体的等离子体，按预定时间轰击所述薄膜基础层，诱导所述薄膜基础层再结晶，使所述薄膜基础层沿指定晶面生长出籽晶层；将靶功率密度降低至第二预定功率，并根据第二预定压力设置工艺气压，以诱导所述籽晶层沿指定晶面生长为第二预定膜厚的透明导电氧化物薄膜；获得高迁移率透明导电氧化物薄膜。
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