[发明专利]散热方法在审
| 申请号： | 201711401935.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109216208A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 余振华;陈明发;陈琮瑜;洪文兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种散热装置包括：集成电路管芯，具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；管芯堆叠，位于所述集成电路管芯的所述第一侧上；虚拟半导体特征，位于所述集成电路管芯的所述第一侧上，所述虚拟半导体特征横向环绕所述管芯堆叠，所述虚拟半导体特征与所述管芯堆叠及所述集成电路管芯电性隔离；第一粘合剂，设置在所述管芯堆叠与所述虚拟半导体特征之间；以及多个传导性连接件，位于所述集成电路管芯的所述第二侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路管芯 半导体特征 堆叠 管芯 虚拟 粘合剂 电性隔离 横向环绕 散热装置 传导性 连接件 散热 | ||
【主权项】：
1.一种散热方法，其特征在于，包括：将管芯堆叠放置在装置晶片的前侧上；在所述装置晶片的背侧上形成传导性连接件；将所述装置晶片单体化以形成集成电路管芯，所述管芯堆叠设置在所述集成电路管芯上；将所述集成电路管芯放置在载体衬底上；将虚拟晶片的前侧结合到所述集成电路管芯，所述管芯堆叠设置在所述虚拟晶片的所述前侧中的凹槽中；从所述载体衬底剥离所述集成电路管芯；以及将所述虚拟晶片单体化以形成虚拟半导体特征，所述虚拟半导体特征横向环绕所述管芯堆叠，所述虚拟半导体特征与所述管芯堆叠及所述集成电路管芯电性隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
