[发明专利]半导体装置以及逆变器系统在审
| 申请号： | 201711402655.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108336910A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 近藤大介 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/5387;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置以及逆变器系统。本公开试图改善包括诸如IGBT的功率晶体管的半导体装置的性能。在半导体装置中，IGBT模块(110)包括彼此并联连接的IGBT元件(SWa、SWb)，连接至IGBT元件(SWa)的栅极端子的电阻器(R1a)，以及并联连接至电阻器(R1a)的二极管(D1a)。在二极管(D1a)中，朝向IGBT元件(SWa)的栅极端子的方向为正向。借助这种配置，能避免栅极振荡并改善开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 逆变器系统 二极管 并联连接 栅极端子 电阻器 功率晶体管 开关特性 振荡 正向 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一功率晶体管和第二功率晶体管，所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管彼此并联连接；第一电阻器，所述第一电阻器连接至所述第一功率晶体管的控制端子；以及第一二极管，所述第一二极管并联连接至所述第一电阻器，其中在所述第一二极管中，朝向所述第一功率晶体管的所述控制端子的方向为正向。
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