[发明专利]光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711402665.5 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108133992B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 王国宏;陆兴东;李璟;李志聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 红光LED 量子阱结构 红光LED器件 蓝光LED芯片 光泵 谐振增强 光子 制备 发光 外延生长工艺 工艺复杂度 器件可靠性 光子激发 芯片制备 芯片制造 出射面 电注入 谐振腔 红光 键合 蓝光 入射 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种光泵谐振增强倒装红光LED器件，其特征在于，包括：/n带谐振腔的红光LED量子阱结构(1)；以及/n出射面键合于该红光LED量子阱结构(1)入射面的倒装蓝光LED芯片(2)；/n其中，该倒装蓝光LED芯片(2)发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构(1)，使该红光LED量子阱结构(1)发出红光光子；/n所述红光LED量子阱结构(1)包括：/n底部Ta2O5/SiO2布拉格反射镜(5)；/n形成于该底部Ta2O5/SiO2布拉格反射镜(5)之上的AlGaInP多量子阱(4)；/n形成于该AlGaInP多量子阱(4)之上的AlGaInP相位调整层(6)；以及/n形成于该AlGaInP相位调整层(6)之上的顶部AlAs/AlGaAs布拉格反射镜(3)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711402665.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片
- 下一篇：一种紫外LED垂直芯片结构
