[发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711403762.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108110054B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;常虎东;孙兵;袁志鹏;肖冬萍 | 申请（专利权）人： | 苏州闻颂智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基HEMT器件，包括从下往上依次层叠的衬底层、氮化铝缓冲层、氮化镓沟道层、Al(ln,Ga,Sc)N势垒层、氮化硅钝化层；该GaN基HEMT器件还包括设于氮化镓沟道层与Al(ln,Ga,Sc)N势垒层中的P型沟道区；设于Al(ln,Ga,Sc)N势垒层中的P型扩散区；设于Al(ln,Ga,Sc)N势垒层上的源电极和漏电极；设于Al(ln,Ga,Sc)N势垒层上的栅电极，P型扩散区位于栅电极和漏电极之间。通过在栅电极和漏电极之间增加P型扩散区，提高了器件的击穿电压；通过设置P型沟道区，增加了栅极的开启电压。本发明还公开了一种GaN基HEMT器件的制备方法，将现有技术中依赖于刻蚀工艺的GaN基HEMT器件制作流程中所涉及的氮化镓沟道层刻蚀工艺省去，改为离子注入工艺，提高了GaN基HEMT器件制作工艺的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基HEMT器件，其特征在于：包括从下往上依次层叠的：衬底层、氮化铝缓冲层、氮化镓沟道层、Al(ln, Ga, Sc)N势垒层、氮化硅钝化层；所述GaN基HEMT器件还包括：设于所述氮化镓沟道层与所述Al(ln, Ga, Sc)N势垒层中的P型沟道区；设于所述Al(ln, Ga, Sc)N势垒层中的P型扩散区；设于所述Al(ln, Ga, Sc)N势垒层上表面的源电极和漏电极；设于所述Al(ln, Ga, Sc)N势垒层上表面的位于所述P型沟道区上方的栅电极，所述栅电极位于所述源电极和所述漏电极之间；所述氮化硅钝化层位于所述栅电极和所述源电极之间，以及所述栅电极和所述漏电极之间；所述P型扩散区位于所述栅电极和所述漏电极之间。
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