[发明专利]形成自对准帽的方法和设备

摘要

使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导电线上。所述沟道被配置为使所述帽层包含在所述导电线的所述宽度内。

主权项

一种集成电路结构，包含：具有上表面的介电层，所述介电层包含硅、氧和碳；以及所述介电层中的导电结构，所述导电结构包含：包含铜的第一导电材料，所述第一导电材料具有上表面，其中，所述第一导电材料的上表面的一部分在所述介电层的上表面的一部分的下方；以及第二导电材料，位于所述第一导电材料的上表面上，所述第二导电材料包含钴，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料在所述第一导电材料和所述第二导电材料相连的位置具有相同的宽度，其中所述第二导电材料具有的上表面具有与所述介电层的上表面的所述部分大致共面的部分，以及其中所述第二导电材料的上表面在所述介电层的上表面的所述部分的下方具有弧形角；以及阻挡层，部分包围所述导电结构，所述阻挡层包含钽。